Epitaktische Abscheidung oxidischer piezoelektrischer Schichten

Gegenwärtig sind keine piezoelektischen Schichten verfügbar, die in miniaturisierten Bauelementen unter extremen Bedingungen, d.h. insbesondere bei Temperaturen bis mindestens 1000°C, eingesetzt werden können. Daher lassen sich entsprechende hochtemperaturtaugliche Sensoren oder Aktoren zur In-situ-Überwachung bzw. -Beeinflussung von z.B. Energiewandlungsprozessen nicht realisieren.

Einen vielversprechenden Lösungsansatz stellt die Verwendung oxidischer Piezoelektrika dar. Diese müssen in Form dünner Schichten epitaktisch auf hochtemperaturstabilen Substraten wie Siliziumkarbid abgeschieden werden. Im Rahmen des Projekts soll dieses grundlegende Problem gelöst werden, so dass die notwendigen Voraussetzungen für weitergehende Entwicklungen mit hohem Anwendungspotenzial geschaffen werden.